| Număr parc : | MBR600150CTR |
|---|---|
| Producator / Marca : | GeneSiC Semiconductor |
| Descriere : | DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER |
| Statutul RoHs : | Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS |
| cantitate valabila | 439 pcs |
| Foi de date | MBR600150CTR.pdf |
| Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă | 880mV @ 300A |
| Tensiune - DC înapoi (Vr) (Max) | 150V |
| Pachetul dispozitivului furnizor | Twin Tower |
| Viteză | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie | - |
| ambalare | Bulk |
| Pachet / Caz | Twin Tower |
| Temperatura de funcționare - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Tipul de montare | Chassis Mount |
| Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Producător Standard Timp de plumb | 4 Weeks |
| Condiții de stare fără plumb / stare RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipul de diodă | Schottky |
| Configurarea diodelor | 1 Pair Common Anode |
| descriere detaliata | Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 150V 300A Chassis Mount Twin Tower |
| Curenți - Scurgeri inverse @ Vr | 3mA @ 150V |
| Curent - medie rectificată (Io) (per diodă) | 300A |
GeneSiC Semiconductor
